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厂商型号

KSD1621STF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Transistor

内部编号

3-KSD1621STF

#1

数量:61
1+¥2.511
25+¥2.189
100+¥2.066
250+¥1.996
500+¥1.712
1000+¥1.532
2000+¥1.403
4000+¥1.288
最小起订量:1
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KSD1621STF产品详细规格

规格书 KSD1621STF datasheet 规格书
文档 Lead Dimensions 19/April/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 75mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 140 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 500mW
频率转换 150MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 SOT-89-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 2
最小直流电流增益 140@0.1A@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-89
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1300
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 150(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-89
最大集电极发射极电压 25
类型 NPN
引脚数 4
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 75mA, 1.5A
标准包装 4,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-89-3
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 140 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
零件号别名 KSD1621STF_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 560
单位重量 0.004603 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.18 V
集电极最大直流电流 2 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 2 A
增益带宽产品fT 150 MHz
最大功率耗散 0.5 W
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 55 C

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